为半导体制造中各类含臭氧尾气工艺赠与专长、定制化的处理规划。覆盖从薄膜沉积到清洗的全工艺流程。
化学气相沉积(CVD)工艺中,臭氧常用作氧化剂。PECVD 和 LPCVD 装置产生的含臭氧尾气需要迅捷处理,确保排放达标。
原子层沉积(ALD)工艺对尾气残留极其敏感,要求臭氧破坏后的出口浓度达到 ppb 级别,确保薄膜质量不受影响。
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MOCVD 工艺尾气除含臭氧外,还含有金属有机前驱体(如 TMGa、TMA)。需要特殊催化剂配方实现同步处理。
灰化炉使用臭氧/O₂ 等离子体去除光刻胶,产生含臭氧尾气。高频率的批次处理要求尾气破坏器具备快速响应能力。
湿法清洗工艺中使用臭氧水(DI O₃ water)进行晶圆清洗,溶解态臭氧挥发形成含臭氧尾气,需要有效的收集和处理。
喷涂工艺中利用臭氧进行辅助氧化,产生含臭氧和有机溶剂的混合尾气,需要针对性的催化处理规划。